壓電部門專注于精密定位執(zhí)行器的研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售；是國內(nèi)壓電領(lǐng)域極少數(shù)擁有從壓電陶瓷材料到壓電陶瓷電機(jī)再到納米精度壓電運(yùn)動(dòng)臺全產(chǎn)品鏈研發(fā)與批量生產(chǎn)能力的高科技企業(yè)。
隱冠打造精密運(yùn)動(dòng)臺、特種電機(jī)、壓電產(chǎn)品和關(guān)鍵零部件四大產(chǎn)品線，配備先進(jìn)的精密運(yùn)動(dòng)控制測試平臺和一批專用工具，具備良好的生產(chǎn)測試條件。
隱冠半導(dǎo)體成立于2019年，是一家專注半導(dǎo)體制造、量檢測和先進(jìn)封裝裝備精密運(yùn)動(dòng)平臺及核心部件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技創(chuàng)新型企業(yè)。
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公司以客戶需求為導(dǎo)向、快速反應(yīng)為特點(diǎn)。專業(yè)化定制、全生命周期服務(wù)是公司秉承的發(fā)展理念。
隱冠讓運(yùn)動(dòng)更精密，讓精密更穩(wěn)定。
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，薄膜的厚度對器件的性能和質(zhì)量有重要影響。薄膜的厚度決定了許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，對其折射、反射和透射的光學(xué)性質(zhì)有直接影響，可以導(dǎo)致顯著的量子尺寸效應(yīng)，從而改變材料的電子、光學(xué)和磁性等。準(zhǔn)確測量和控制薄膜厚度對于優(yōu)化器件性能、提高生產(chǎn)效率、確保器件可靠性等都具有重要的作用。
套刻誤差的定義是兩層圖形結(jié)構(gòu)中心之間的平面距離。隨著集成電路的層數(shù)不斷增多，多重圖形和多重曝光的光刻工藝被廣泛應(yīng)用，不同步驟形成的電路圖形之間的套刻精度愈發(fā)重要。套刻誤差過大形成的錯(cuò)位，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)電路失效報(bào)廢。套刻誤差測量設(shè)備，用于確保不同層級電路圖形，和同一層電路圖形的正確對齊和放置。套刻誤差測量通常在每道光刻步驟后進(jìn)行。
電子束晶圓檢測，是掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的應(yīng)用。其使用高能電子與晶圓表面的物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí)所激發(fā)出的信息進(jìn)行成像。然后再通過圖像處理和運(yùn)算來實(shí)現(xiàn)對晶圓缺陷、關(guān)鍵尺寸等進(jìn)行檢測的目的。
