在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，混合鍵合（Hybrid Bonding）作為一項(xiàng)突破性技術(shù)，正逐步成為推動(dòng)芯片集成度提升和性能優(yōu)化的關(guān)鍵手段。該技術(shù)通過(guò)直接實(shí)現(xiàn)芯片間金屬與介電層的鍵合，取代傳統(tǒng)焊料連接，為高性能計(jì)算、人工智能和存儲(chǔ)芯片等應(yīng)用提供了高密度、低功耗的互連方案。

半導(dǎo)體行業(yè)正處于互連技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)刻。隨著對(duì)更高性能、更低功耗和更高集成度需求的加劇，傳統(tǒng)的互連技術(shù)正接近其極限?；旌湘I合已成為下一代半導(dǎo)體封裝的關(guān)鍵賦能技術(shù)，為高性能計(jì)算（HPC）、高速存儲(chǔ)和人工智能（AI）等先進(jìn)應(yīng)用提供了可擴(kuò)展的解決方案。

基于電磁感應(yīng)定律及其特殊的結(jié)構(gòu)，直線電機(jī)通過(guò)電流在磁場(chǎng)中的相互作用產(chǎn)生推力，省卻了傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)、直線轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)，將電能直接轉(zhuǎn)換為直線運(yùn)動(dòng)的機(jī)械能，因此具有更高的定位精度、更快的反應(yīng)速度和更高的靈敏度。

在真空狀態(tài)下，氣體的稀薄程度通常用氣體的壓力值來(lái)表示，顯然，該壓力值越小則表示氣體越稀薄。 表述真空度或氣壓有多種單位，比如 kPa, Torr，mbar 等等，那么這些單位之間如何換算？各自的定義是什么呢？在各種情況下，不同的真空泵常用的真空計(jì)算公式有哪些呢？

混合鍵合是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，有助于集成多個(gè)半導(dǎo)體元件以創(chuàng)建高密度、高性能的設(shè)備。與傳統(tǒng)封裝方法相比，混合鍵合可實(shí)現(xiàn)更高的互連密度該工藝對(duì)于 3D 集成和異構(gòu)片上系統(tǒng) (SoC) 應(yīng)用。   目前設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈中的主要參與者以及使用和涉及混合鍵合的主要有，如臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、索尼、豪威科技、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、西部數(shù)據(jù)、Besi、芝浦東京電子、應(yīng)用材料、ASM Pacific、EV Group、SU...

本文介紹了芯片的誕生過(guò)程——從真空管、晶體管到集成電路，從BJT、MOSFET到CMOS，芯片究竟是如何發(fā)展起來(lái)的，又是如何工作的。 ? █?真空管（電子管） 愛(ài)迪生效應(yīng) 1883年，著名發(fā)明家托馬斯·愛(ài)迪生（Thomas Edison）在一次實(shí)驗(yàn)中，觀察到一種奇怪現(xiàn)象。 當(dāng)時(shí)，他正在進(jìn)行燈絲（碳絲）的壽命測(cè)試。在燈絲旁邊，他放置了一根銅絲，但銅絲并沒(méi)有接在任何電極上。也就是說(shuō)，銅絲沒(méi)...

真空在半導(dǎo)體制造中非常重要，在半導(dǎo)體工業(yè)中，真空環(huán)境被用于各種制程，包括物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition, PVD)、化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD)、原子層沉積 (Atomic Layer Deposition, ALD)、離子注入 (Ion Implantation)、等離子刻蝕 (Plasma Etching) 等等。那么今天就來(lái)介紹一下真空這個(gè)常見(jiàn)卻讓人一知半解的概念。

晶圓切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。

由于半導(dǎo)體行業(yè)體系龐大，理論知識(shí)繁雜，我們將通過(guò)多個(gè)期次和專(zhuān)題進(jìn)行全面整理講解。本專(zhuān)題主要從半導(dǎo)體制造設(shè)備專(zhuān)題——設(shè)備介紹及國(guó)產(chǎn)化發(fā)展進(jìn)行講解，讓大家更準(zhǔn)確和全面的認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體地整個(gè)行業(yè)體系。我們分為半導(dǎo)體知識(shí)、半導(dǎo)體“芯”聞幾個(gè)模塊，歡迎各位大佬交流學(xué)習(xí)。

隨著摩爾定律逐漸進(jìn)入其發(fā)展軌跡的后半段，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越依賴(lài)先進(jìn)的封裝技術(shù)來(lái)推動(dòng)性能的飛躍。在封裝技術(shù)由平面走向更高維度的2.5D和3D時(shí)，互聯(lián)技術(shù)成為關(guān)鍵中的關(guān)鍵。面對(duì)3D封裝日益增長(zhǎng)的復(fù)雜性和性能要求，傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片鍵合和硅通孔（TSV）鍵合等，正逐步顯露其局限。在這種背景下，混合鍵合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力，正成為行業(yè)的新寵。